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    常見問題
    UVLED結構
    時間: 2021-01-03 09:26 瀏覽次數:
    uvled (紫外線LED)由一個或多個 ingan量子阱 夾在較薄的 gan三明治結構 之間組成,形成的有效區域是包層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為 ingan量子阱 ,可以將發射波長從紫光 更改為其他光。 algan 可以通過更改 aln比例 來製作 uvled 和 量子阱層 的包層,但是這些設備的效率和成熟度很差。 如果活性的 量子阱層 是GaN,則相反的是InGaN或 algan合金 , ,則器件發射的光譜範圍為350
    uvled(紫外線LED)由一個或多個ingan量子阱夾在較薄的gan三明治結構之間組成,形成的有效區域是包層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為ingan量子阱,可以將發射波長從紫光
    更改為其他光。algan可以通過更改aln比例來製作uvled量子阱層的包層,但是這些設備的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱層是GaN,則相反的是InGaN或algan合金,
    ,則器件發射的光譜範圍為350?370nm。
    當LED泵上的藍色ingan一個短的電子脈衝時,會產生紫外線。 含鋁的氮化物,特別是alganalgainn可以製成短波長器件,並獲得串聯波長uvled。 波長高達
    247nm的二極管已經商業化,基於氮化鋁且可發出210nm紫外線輻射的LED已成功開發,並且在250?270nm波段的uvled也正在開發中。
    III-v族金屬氮化物基半導體非常適合製造紫外線輻射源。 以algainn為例,在室溫下,隨著各組分比例的變化,複合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED
    的有源層由GaN或algan組成,則其紫外線輻射效率非常低,因為電子和空穴之間的複合是非輻射複合。 如果在此層中摻雜少量金屬In,則有源層的局部能級將發生變化。
    這時,電子和空穴將發生輻射複合。 因此,當有源層中摻雜有金屬銦時,在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。

    文章TAG標簽:UVLED氮化鋁AlGaNAlGaInNAlN比例量子阱層藍色InGaNAlGaN合金InGaN量子阱GaN三明治結構V族金屬氮化物基

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